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二硒化钽晶體(tǐ) 2H-TaSe2 （Tantalum Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：Metal, Charge density waves （CDW） system at ~120K, Superconductor （Tc ~0.1K） 金屬，電(diàn)荷密度波（CDW） 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.342 nm, c = 1.2
硒化钛 1T-TiSe2（Titanium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半金屬，電(diàn)荷密度波（CDW） 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化釩晶體(tǐ) VSe2 （Vanadium Diselenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：金屬，電(diàn)荷密度波（CDW） 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化鎢晶體(tǐ) WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，P型 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化锆晶體(tǐ) ZrSe2 （Zirconium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
晶體(tǐ)尺寸：亞毫米大(dà)小(xiǎo) 電(diàn)學特性：金屬 晶體(tǐ)結構：單斜晶系 晶胞參數：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90°，β= 102.87 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
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