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晶體(tǐ)尺寸：~6毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分(fēn)：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
硒化鎢钼晶體(tǐ) MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide） 晶體(tǐ)尺寸：6毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分(fēn)：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化铌晶體(tǐ) 2H-NbSe2（Niobium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：金屬，半導體(tǐ)（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves （CDW） system, Tcdw ~33K 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)
二硒化鉑晶體(tǐ) PtSe2 （Platinum Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：2-3毫米 電(diàn)學性能：半金屬 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化铼晶體(tǐ) ReSe2（Rhenium Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：n型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：三斜晶系 晶胞參數：a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二硒化錫晶體(tǐ) SnSe2 （Tin Selenide） 晶體(tǐ)尺寸：~8毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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