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晶體(tǐ)尺寸：10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，拓撲絕緣體(tǐ)，熱電(diàn)材料 晶體(tǐ)結構：單斜晶結構 晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體(tǐ)尺寸：10毫米 電(diàn)學性能：金屬，電(diàn)荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K） 晶體(tǐ)結構：單斜晶 晶胞參數：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C = 0.934nm，α=γ= 90°，β= 110.71 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體(tǐ)尺寸：10毫米 電(diàn)學性能：半導體(tǐ)，拓撲絕緣體(tǐ)，熱電(diàn)性 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°γ= 120 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體(tǐ)尺寸：8毫米 電(diàn)學性能：半金屬，電(diàn)荷密度波（CDW，~ 63K），超導體(tǐ)（TC ~ 2K） 晶體(tǐ)結構：單斜磷 晶胞參數：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C = 1.009nm，α=γ= 90°，γ= 98 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
二碲化钼晶體(tǐ) 2H-MoTe2（Molybdenum Ditelluride） 晶體(tǐ)尺寸：~10毫米 電(diàn)學性能：N型半導體(tǐ) 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
二碲化钯晶體(tǐ) PdTe2 （Palladium Ditelluride） 晶體(tǐ)尺寸：2-3毫米 電(diàn)學性能：金屬，半導體(tǐ)（Tc ~ 1.7K） 晶體(tǐ)結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.4035 nm, c = 0.5105 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(tǐ)類型：合成 晶體(tǐ)純度：＞99.995%
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