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矽基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si 表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
矽基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si 表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
二氧化矽基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2 表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
二氧化矽基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2 表面電(diàn)阻:小(xiǎo)于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉移到矽襯底
形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數:單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um
形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數:單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um
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