IC半導體(tǐ)級 SIO2

低維材料在線商(shāng)城可爲客戶訂制不同參數的二氧化矽氧化片，質量優良；氧化層厚度、緻密性、均勻性和電(diàn)阻率晶向等參數均按照國标執行。
熱氧化物(wù)表面形成二氧化矽層。在氧化劑的存在下(xià)在升高的溫度下(xià)，給過程稱爲熱氧化。通常生(shēng)長熱氧化層的在水平管式爐中(zhōng)。溫度範圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者幹法的生(shēng)長方法。熱氧化物(wù)是一(yī)種生(shēng)長的氧化物(wù)層。相對于CVD法沉積的氧化物(wù)層，它具有較高的均勻性和更高的介電(diàn)強度。這是一(yī)個*的作爲絕緣體(tǐ)的介電(diàn)層。大(dà)多數矽爲基礎的設備中(zhōng)，熱氧化層都扮演着非常重要的角色，以安撫矽片表面。作爲摻雜(zá)障礙和表面電(diàn)介質。
應用範圍：
1，刻蝕率測定
2，金屬打線測試
3，金屬晶圓
4，電(diàn)性絕緣層

産品名稱：4英寸二氧化矽抛光矽片 （SiO2）
生(shēng)長方式：直拉單晶（CZ）  熱氧化工(gōng)藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜(zá)類型：N型(摻磷、砷、銻) P型（摻硼）
晶向：<111><100>
電(diàn)阻率：0.001-50(Ω•cm) 可按客戶要求定制
工(gōng)藝數據：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)
現有規格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
用途介紹：用于工(gōng)藝等同步輻射樣品載體(tǐ)、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生(shēng)長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外(wài)光譜、熒光光譜等分(fēn)析測試基底、分(fēn)子束外(wài)延生(shēng)長的基底、X射線分(fēn)析晶體(tǐ)半導體(tǐ)
 

注：本商(shāng)城提供多系列多規格的矽片，标價僅爲一(yī)種規格，如需多種規格請與客服。