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簡要描述:單層石墨烯(進口) Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法:熱剝離(lí)還原與氫化還原
BET比表面積(平方米/克):400~1000
電(diàn)阻率(Ω∙cm)≤0.30
分(fēn)散性:利用聲波降解法可以在大(dà)多數的溶液中(zhōng)進行再分(fēn)散
詳細介紹
單層石墨烯(進口) Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法:熱剝離(lí)還原與氫化還原
BET比表面積(平方米/克):400~1000
電(diàn)阻率(Ω∙cm)≤0.30
分(fēn)散性:利用聲波降解法可以在大(dà)多數的溶液中(zhōng)進行再分(fēn)散
重量:500mg
SEM image of ACS Material's Single Layer Graphene
TEM image of ACS Material's Single Layer Graphene (1)
TEM image of ACS Material's Single Layer Graphene (2)
單層石墨烯(進口) Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法:熱剝離(lí)還原與氫化還原
BET比表面積(平方米/克):400~1000
電(diàn)阻率(Ω∙cm)≤0.30
分(fēn)散性:利用聲波降解法可以在大(dà)多數的溶液中(zhōng)進行再分(fēn)散
重量:500mg
Single Layer Graphene
高比表面積石墨烯
制備方法:熱剝離(lí)還原與氫化還原
BET比表面積(平方米/克):400~1000
電(diàn)阻率(Ω∙cm)≤0.30
分(fēn)散性:利用聲波降解法可以在大(dà)多數的溶液中(zhōng)進行再分(fēn)散
重量:500mg
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