硫化鍺晶體(tǐ)（百分(fēn)之99.995） GeS

簡要描述：硫化鍺晶體(tǐ) GeS（Germanium Sulfide）
晶體(tǐ)尺寸：~10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

産品型号：
廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
更新時間：2018-07-09
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詳細介紹

硫化鍺晶體(tǐ) GeS(Germanium Sulfide)
晶體(tǐ)尺寸：~10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8