二硫化钼晶體(tǐ)MoS2-syn-N type

簡要描述：二硫化钼晶體(tǐ)（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn
晶體(tǐ)尺寸:~10毫米
電(diàn)學性能：N型半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

産品型号：
廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
更新時間：2018-07-09
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詳細介紹

二硫化钼晶體(tǐ)（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn
晶體(tǐ)尺寸:~10毫米
電(diàn)學性能：N型半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10