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二硫化钽晶體(tǐ)(1T/百分(fēn)之99.995) TaS2

簡要描述:二硫化钽晶體(tǐ)(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T
晶體(tǐ)尺寸:~8毫米
電(diàn)學性能:半導體(tǐ),電(diàn)荷密度波(CDW),Mott相
晶體(tǐ)結構:六邊形
晶胞參數:a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型:合成
晶體(tǐ)純度:>99.995%

  • 産品型号:
  • 廠商(shāng)性質:生(shēng)産廠家
  • 更新時間:2018-07-09
  • 訪  問  量:683

詳細介紹

二硫化钽晶體(tǐ)(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T
晶體(tǐ)尺寸:~8毫米
電(diàn)學性能:半導體(tǐ),電(diàn)荷密度波(CDW),Mott相
晶體(tǐ)結構:六邊形
晶胞參數:a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體(tǐ)類型:合成
晶體(tǐ)純度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a Tantalum Disulfide single crystal aligned along the (001) plane. XRD on the 1T-TaS2 was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4, 5

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 1T-TaS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal 1T-TaS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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