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硫化铋 Bi2S3 （Bismuth Sulfide）

簡要描述：晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量

  • 産品型号：
  • 廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
  • 更新時間：2018-07-09
  • 訪  問  量：1653

詳細介紹

晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量

晶體(tǐ)尺寸：10毫米
電(diàn)學性能：半導體(tǐ)
晶體(tǐ)結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體(tǐ)類型：合成
晶體(tǐ)純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量

 

XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

EDX of a single crystal Bi2S3.

 

Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

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