CIS（Se）, CIGS（Se）, CZTS（Se）量子點

簡要描述：銅铟硫（硒），銅铟镓硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導化合物(wù)對可見光的吸收系數和光電(diàn)轉換效率高，抗輻射能力強，吸收層材料禁帶寬度可調，性能穩定，無毒等優點，是制作薄膜太陽電(diàn)池的優良材料。

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廠商(shāng)性質：生(shēng)産廠家
更新時間：2018-06-28
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零維材料

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詳細介紹

銅铟硫（硒），銅铟镓硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導化合物(wù)對可見光的吸收系數和光電(diàn)轉換效率高，抗輻射能力強，吸收層材料禁帶寬度可調，性能穩定，無毒等優點，是制作薄膜太陽電(diàn)池的優良材料。傳統方法－真空濺射沉積再進行硫化或硒化反應形成薄膜太陽能電(diàn)池，在制備過程中(zhōng)很難控制各個元素的蒸發速率和保持襯底溫度的穩定，而且由于采用了真空的工(gōng)藝環節，導緻工(gōng)藝複雜(zá)，總成本很高。通過對量子點燒結形成半導體(tǐ)薄是一(yī)種新興的薄膜太陽能電(diàn)池的制備技術，可以極大(dà)簡化生(shēng)産工(gōng)藝，降低成本制，因此具有非常廣泛的應用前景。

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