零維材料_第(3)頁-上海磊矶科技有限公司

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零維材料

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量子點

量子點（quantum dot）是零維（zero-dimensional）的納米半導體(tǐ)材料。三個維度的尺寸都不大(dà)于其對應的半導體(tǐ)材料的激子玻爾半徑的兩倍，的性能一(yī)般受量子限域效應（quantum confinement effect）、表面效應和摻雜(zá)的影響。具有新穎的電(diàn)子和光學等性能，能夠用于許多重要的領域，比如電(diàn)子、光電(diàn)子、光伏、生(shēng)物(wù)醫療。

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更新日期：2018-07-02

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QD-LEDs應用量子點

特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點溶液濃度：~20mg/ml，溶劑：正辛烷（可定制不同溶劑、濃度）直接用于旋塗工(gōng)藝

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更新日期：2018-06-29

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無重金屬ZnSeZnS量子點（HMF_ZnSeZnS QDs）

ZnSe量子點是一(yī)種新型環保“綠色”半導體(tǐ)納米材料，有效克服了Cd系量子點毒性大(dà)的缺點，作爲寬帶隙半導體(tǐ)材料，ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導體(tǐ)發光器件的重要材料。應用*專有技術合成的ZnSe/ZnS量子點具有尺寸均勻，單分(fēn)散性強，熒光量子産率高，穩定性好，生(shēng)物(wù)毒性低等優異特性；可以廣泛應用于藍(lán)光半導體(tǐ)光電(diàn)器件、太陽能電(diàn)池、生(shēng)物(wù)标記等領域。

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更新日期：2018-06-29

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無重金屬InP/ZnS量子點（HMF_InP/ZnS QDs）

由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大(dà)，量子限域效應明顯，消光系數大(dà)，發射光譜頻(pín)率覆蓋整個可見光範圍，并延伸至近紅外(wài)區域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點在平闆顯示背光源、照明、生(shēng)物(wù)醫學标記、指紋識别，以及太陽能領域具有廣泛的應用。應用*專有技術合成的InP/ZnS量子點具有穩定性好，熒光發射峰範圍廣，發光效率高，波長可調等諸多優異特性。

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更新日期：2018-06-28

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近紅外(wài)PbS Ag2S量子點

近紅外(wài)量子點具有玻爾半徑大(dà)、禁帶寬度小(xiǎo)、能量轉換率較高等特點，在光電(diàn)器件、通訊、發光二極管、太陽能電(diàn)池等領域有着廣泛應用。由于其發射的近紅外(wài)波長具有很強的組織穿透性和低背景高分(fēn)辨率的生(shēng)物(wù)成像性能，因此還被廣泛應用于生(shēng)物(wù)領域。

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更新日期：2018-06-28

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上轉換發光納米粒子

上轉換發光納米粒子主要是由氧化物(wù)、氟化物(wù)、鹵氧化物(wù)等基質摻雜(zá)三價稀土離(lí)子（如Er3+ , Eu3+ , Yb3+ , Tm3+ , Ho3+ 等）得到，通過多光子機制将紅外(wài)光轉換成可見光，爲反Stokes發光；具有發射譜線窄，壽命長，發光穩定性好，不易受環境影響，生(shēng)物(wù)毒性低，化學穩定性高等優點；廣泛應用于生(shēng)物(wù)熒光标記和成像、激光器、太陽能電(diàn)池、防僞技術等領域。

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更新日期：2018-06-28

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