等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕可分(fēn)爲兩個過程：首先，在等離(lí)子體(tǐ)中(zhōng)産生(shēng)化學活性成分(fēn)；其次，這些活性成分(fēn)與固體(tǐ)材料發生(shēng)反應，形成揮發性化合物(wù)，從表面擴散開(kāi)來。例如，CF4離(lí)解産生(shēng)的f與s反應生(shēng)成SiF4氣體(tǐ)，導緻在含Si材料表面形成微銑削結構。等離(lí)子刻蝕是一(yī)個總稱，包括離(lí)子刻蝕、濺射刻蝕和等離(lí)子灰化。
基材和工(gōng)藝參數決定了表面改性的類型，基材溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性的深度。等離(lí)子隻能在表面蝕刻幾微米，改性材料的表面性能發生(shēng)了變化，但仍能保持材料的大(dà)部分(fēn)性能。該技術還可用于表面清洗、定線、粗化、改變親水性和附着力等，還可使電(diàn)鏡下(xià)觀察的樣品變薄，用于半導體(tǐ)集成電(diàn)路的制造過程。在化學濺射中(zhōng)，會發生(shēng)反應并産生(shēng)揮發性産物(wù)。常見的氣體(tǐ)包括AR、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣。與化學反應的等離(lí)子濺射相比，惰性離(lí)子濺射更像是一(yī)個物(wù)理過程。
等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕工(gōng)藝中(zhōng)具有很多優勢，比如可以更精确地控制工(gōng)作尺寸、更高的刻蝕速率和更好的材料選擇性。高密度等離(lí)子源可以在低壓下(xià)工(gōng)作，以減少鞘層振蕩。在使用高密度等離(lí)子源蝕刻晶圓時，爲了使能量和離(lí)子通量相互獨立，需要使用獨立的射頻(pín)源對晶圓進行偏置。因爲典型的離(lí)子能量在幾個電(diàn)子伏特量級，離(lí)子進入負鞘層後，加速後能量會達到幾百個電(diàn)子伏特，并且具有很高的指向性，從而賦予離(lí)子刻蝕的各向異性。
多功能寬密度等離(lí)子體(tǐ)改性及刻蝕産品特點：
1、基闆台可電(diàn)動旋轉、加熱和提升。
2、配備手動高真空閘閥、手動角閥和電(diàn)腦複合真空計。
3、由于采用超高真空密封技術，極限真空度高，沉積室可進入10-5pa量級，可保證更高的鍍層純度，提高鍍層質量。
4、自動監控與保護功能，包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等。
5、配備可切換觀察窗，方便觀察和取樣。
6、設備真空系統采用分(fēn)子泵+機械泵真空機組。
7、采用磁耦合傳動密封技術密封運動部件。
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